中微公司(688012)：性能深度与应用广度齐升 刻蚀龙头发展动能强劲

事件点评：中微公司发布2022 年度报告，2022 年实现营收47.40 亿元，同比增长52.50%；归母净利润为11.70 亿元，同比增长15.66%；扣非归母净利润9.19 亿元，同比增长183.44%；毛利率为45.74%，同比增长2.38pcts；净利率为24.64%，同比下降7.90pcts，业绩符合预期。

    专用设备业务为公司主要收入贡献者，占比超80%。2022 年专用设备营收为38.47亿元，同比增长53.46%，占营收81.17%，毛利率为45.18%；备品备件营收为8.35亿元，同比增长50.27%，占营收17.62%，毛利率为46.88%；设备维护营收为0.57亿元，同比增长26.82%，占营收1.21%，毛利率为66.48%。

    业绩变动主要原因包括：（1）等离子刻蚀设备进入5nm 及更先进产线，市占率持续提高：在半导体前道加工工艺中，除光刻机外，等离子刻蚀设备工艺难度最高，且为前道加工必不可少设备之一。目前公司自主研发等离子刻蚀设备在5nm 及下一代更先进生产线上实现多批次销售，国内外客户认可度逐步提高，市占率逐步增加；（2）MOCVD 设备在蓝绿光LED 生产线取得绝对领先地位：公司MOCVD设备在行业领先客户产线大规模投入量产，已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商；（3）各类新产品开发取得显著进展：应用于高端存储和逻辑器件的ALD 氮化钛设备研发进程稳步推进，已进入实验室测试阶段。用于碳化硅功率器件外延生产设备样机即将进入客户端测试验证。开发以满足先进存储高深宽比结构填充需求，以及逻辑前端金属栅需求的ALD 金属工艺方案。

    大马士革、极高深宽比刻蚀工艺即将进入市场，公司刻蚀设备市占率有望提升。在CCP 赛道中DSC SD-RIE（适用于大马士革刻蚀）及UD-RIE（适用于存储市场中极高深宽比刻蚀）等新品即将进入市场。随着新品放量，在国内先进存储领域内，中微CCP 市占率有望超85%；在国内先进逻辑器件内，中微CCP 市占率有望超60%。在ICP 赛道中Primo Twin-Star（高输出低成本解决方案）在国内外多客户产线实现量产，并取得重复订单。Nanova 系列产品在客户端完成验证应用数量持续增加，目前该系列产品在客户端安装腔体数达297 台。在国内先进存储领域内，中微ICP 市占率有望超65%，在国内先进逻辑器件内，中微ICP 市占率有望超75%。

    国内成熟制程扩张叠加晶圆厂国产替代意愿加强，助力公司业绩更上层楼。根据SEMI 数据，中国大陆晶圆厂建厂速度全球第一，预计至2024 年底，将建立31 座大型晶圆厂，且全部为成熟制程。随着美国对光刻机等设备出台禁令，晶圆厂采用国产设备意愿加强，加速半导体设备国产替代进程，为公司发展提供历史机遇。根据SEMI 数据，2022 年国内晶圆厂半导体设备国产化率为35%，同比增长14pcts。

    三维立体战略，确保公司高速稳定健康安全发展。以刻蚀机设备、薄膜与检测为主心骨，扩展泛半导体关键设备领域应用，利用公司核心竞争力寻找其他新兴领域机会。通过三维立体战略，避免单一产品市场浮动造成公司发展不稳定，确保公司高速稳定健康安全发展。

    投资建议：我们公司预测2023 年至2025 年营业收入分别为61.72/80.07/99.03 亿元，增速分别为30.2%/29.7%/23.7%；归母净利润分别为14.35/18.15/21.73 亿元，增速分别为22.7%/26.5%/19.7%；对应PE 分别71.2/56.3/47.0。考虑到中微公司在国内刻蚀设备领域龙头地位及其四大产品性能与性价比等方面进入全球三强，首次覆盖，给予买入-A 建议。

    风险提示：晶圆厂扩建进程不及预期；海外拓客进展不及预期；产品研发不及预期。